2026年以來內(nèi)存市場迎來快速上漲行情。2月9日，市場研究公司Counterpoint Research發(fā)布的《2月內(nèi)存價格追蹤報告》顯示，2026年第一季度以來，內(nèi)存價格較2025年第四季度末已上漲80%—90%，DRAM、NAND及HBM全品類價格均創(chuàng)歷史新高，通用服務器DRAM成為本輪漲價核心推手。

業(yè)內(nèi)人士表示，行業(yè)供需格局調整之下，產(chǎn)業(yè)鏈各端正加速優(yōu)化經(jīng)營策略，國內(nèi)存儲企業(yè)則有望在海外大廠的產(chǎn)能布局變化中迎來國產(chǎn)化發(fā)展契機。

全板塊價格加速上漲

本輪內(nèi)存市場呈現(xiàn)全板塊價格加速上漲態(tài)勢，上述Counterpoint Research報告顯示，此前表現(xiàn)平穩(wěn)的NAND閃存價格在2026年第一季度以來同步大漲80%至90%，疊加部分HBM3e產(chǎn)品價格走高，形成全品類漲價格局。以服務器級內(nèi)存為例，64GB RDIMM合約價從2025年第四季度的450美元，飆升至2026年第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元關口。

TrendForce集邦咨詢分析師許家源表示，2025年第四季度各類應用的DRAM合約價普遍上漲40%以上，2026年第一季度以來合約價再次出現(xiàn)大幅上漲。其中，DDR4市場供需失衡尤為突出，2026年第一季度漲幅進一步加速，預計第二季度仍將上漲。

業(yè)內(nèi)人士認為，本輪漲價的核心原因是供需失衡疊加海外大廠產(chǎn)能結構調整。群智咨詢（Sigmaintell）總經(jīng)理李亞琴表示，AI（人工智能）算力中心建設開啟帶來服務器與內(nèi)存需求激增，存儲行業(yè)目前處于供不應求狀態(tài)，且這一局面將長期存在，因為當前AI算力建設仍處于基礎設施建設初期階段。

東芯半導體股份有限公司（以下簡稱“東芯股份”）在投資者調研活動中則提到，三星電子、鎧俠、海力士、美光科技等海外存儲巨頭專注于大容量3D NAND Flash以及HBM和DDR5高端產(chǎn)品，普遍實施減產(chǎn)或產(chǎn)能調控策略，對SLC NAND Flash、利基型DRAM及DDR4等傳統(tǒng)細分市場的投入與供給逐步減少，進一步加劇了DDR4市場的供需失衡，推動價格持續(xù)攀升。

對于后續(xù)市場走勢，李亞琴認為，2026年二季度后內(nèi)存價格漲幅將逐季收斂，下半年部分品類將止?jié)q，但短期內(nèi)難以看到價格回落。

產(chǎn)業(yè)鏈冷暖分化

本輪內(nèi)存漲價直接推升上游廠商盈利水平，有業(yè)內(nèi)人士分析，預計2026年第一季度，DRAM廠商營業(yè)利潤率將突破歷史峰值，行業(yè)將實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的盈利水平。

國內(nèi)相關企業(yè)也同步受益于行業(yè)上行周期，深圳市朗科科技股份有限公司1月29日在投資者互動平臺上表示，全球存儲行業(yè)處于上行周期，受供需格局改善及AI算力需求拉動，DDR內(nèi)存價格呈行業(yè)性上漲，公司產(chǎn)能利用率良好，將動態(tài)優(yōu)化排產(chǎn)；東芯股份2月9日亦在投資者互動平臺稱，公司存儲產(chǎn)品市場需求逐步好轉，市場價格已逐步回升。

與上游的高盈利形成鮮明對比，下游原始設備制造商（OEM）正面臨雙重經(jīng)營壓力，消費電子成為受影響最大的領域。業(yè)內(nèi)人士認為，2026年整體存儲價格將處于高位，這將促使品牌廠商調整終端售價和產(chǎn)品結構。為應對成本壓力，下游廠商紛紛采取降配、替代、調結構等措施。許家源表示，部分PC（個人計算機）及智能手機品牌將內(nèi)存規(guī)格降級，并向模組廠尋求替代供應，預計2026年全球PC與智能手機出貨量或將出現(xiàn)下滑。

值得一提的是，本輪行業(yè)變化也為國內(nèi)存儲企業(yè)帶來了國產(chǎn)化發(fā)展機遇。東芯股份在投資者調研活動中表示，隨著海外大廠陸續(xù)退出傳統(tǒng)存儲細分市場，疊加國產(chǎn)化需求不斷提高，公司在相關領域的市占率有望持續(xù)提升，迎來良好的發(fā)展契機。

（來源：證券日報 張文湘）